Untersuchungen über Durchbrucherscheinungen in Halbleitersperrschichten und deren Anwendungen, insbesondere von Tunneldioden
dc.contributor.author
Melchior, Hans
dc.contributor.supervisor
Borgnis, Fritz E.
dc.contributor.supervisor
Strutt, Maximilian J. O.
dc.date.accessioned
2017-06-12T21:21:29Z
dc.date.available
2017-06-12T21:21:29Z
dc.date.issued
1965
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/20.500.11850/131626
dc.identifier.doi
10.3929/ethz-a-000087832
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
de
dc.publisher
ETH Zürich
dc.rights.uri
http://rightsstatements.org/page/InC-NC/1.0/
dc.subject
HALBLEITER + HALBLEITERTECHNOLOGIE (ELEKTROTECHNIK)
dc.subject
FLÄCHENDIODEN/MIT PN-ÜBERGÄNGE (ELEKTRONIK)
dc.subject
TUNNELDIODEN (ELEKTRONIK)
dc.subject
SEMICONDUCTORS + SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY (ELECTRICAL ENGINEERING)
dc.subject
JUNCTION DIODES/ON PN JUNCTION (ELECTRONICS)
dc.subject
TUNNEL DIODES (ELECTRONICS)
dc.title
Untersuchungen über Durchbrucherscheinungen in Halbleitersperrschichten und deren Anwendungen, insbesondere von Tunneldioden
dc.type
Doctoral Thesis
dc.rights.license
In Copyright - Non-Commercial Use Permitted
ethz.size
79+76 S.
ethz.code.ddc
DDC - DDC::6 - Technology, medicine and applied sciences::621.3 - Electric engineering
ethz.notes
Diss. Techn.Wiss. ETH Zürich, Nr. 3661, 0000. Ref.: Strutt, M.J.O. ; Korref.: Borgnis, F.E..
ethz.identifier.diss
3661
ethz.identifier.nebis
000087832
ethz.publication.place
Zürich
ethz.publication.status
published
ethz.date.deposited
2017-06-12T21:22:47Z
ethz.source
ECOL
ethz.identifier.importid
imp5936692e5ed7b25519
ethz.ecolpid
eth:31882
ethz.eth
yes
ethz.availability
Open access
ethz.rosetta.installDate
2017-07-31T14:17:27Z
ethz.rosetta.lastUpdated
2020-02-14T18:28:12Z
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Publication type
-
Doctoral Thesis [30314]