Analysis of parameters determining nominal dynamic performance of 1.2 kV SiC power MOSFETs
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https://doi.org/10.3929/ethz-b-000343627Publikationsstatus
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2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)Seiten / Artikelnummer
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09480 - Grossner, Ulrike / Grossner, Ulrike